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Si4561DY
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
24
1 8
V GS = 10 thr u 5 V
4 V
5
4
3
T C = 25 °C
12
6
3 V
2
1
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.060
0.052
0.044
0.036
0.02 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
8 00
640
4 8 0
320
160
C oss
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.020
0
C rss
0
6
12
1 8
24
30
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 5 A
V DS = 10 V
1.6
I D = 5 A
V GS = 10 V
6
V DS = 20 V
1.4
V DS = 30 V
1.2
V GS = 4.5 V
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 69730
S09-0220-Rev. C, 09-Feb-09
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